由香港科技大学电子及计算机工程系刘纪美教授领导的研究小组最近开发了一种新型的半导体生长方案，并以此实现了应用于硅光子学在硅上生长的高性能光电探测器。这些硅基半导体光电探测器满足了硅光子学中对于高速数据通信提出的各项要求，为未来在硅基平台上集成 III-V 族有源器件和硅基的无源器件提供了一个实用的解决方案。
刘教授说：“这是通过我们最新开发的、具有亚微米级 InP 条和大尺寸 InP 膜的单片 InP/SOI （绝缘衬底上的硅）集成平台实现的。我们团队在器件物理和生长机制方面的综合专业知识和洞察力使我们能够完成外延生长、材料表征和器件性能的交叉相关分析这一具有挑战性的任务”。此项成果最近于Optica发表。
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